Нет в наличии. Возможность заказа уточняйте у консультантов магазина.

Основные характеристики
Емкость накопителя	500 Гб
Тип чипов	3D TLC (Triple Level Cell) V-NAND 96-слойная
	В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку
Технология TurboWrite	Технология Intelligent TurboWrite
Background Garbage Collection	Поддерживается
Тип оборудования	SSD для персональных компьютеров
Параметры производительности
Поддержка TRIM	Есть
Скорость чтения	До 3500 Мб/сек
Скорость записи	До 3200 Мб/сек
IOmeter, скорость записи 4Кб файлов, глубина очереди=32	550000 IOPS
Конфигурация
Кэш	512 Мб Low Power DDR4 SDRAM
Контроллер	Samsung Phoenix
Эксплуатационные параметры
Рабочая температура	0 ~ 70°C
Интерфейс, разъемы и выходы
Интерфейс SSD	M.2 PCI-Express Gen3.1 x4 (PCIe)
Пропускная способность интерфейса	8 Гб/сек
Прочие характеристики
MTBF	1.5 млн. часов
Безопасность
Шифрование данных	AES 256 бит
Максимальные перегрузки	1500G длительностью 0.5 мс
Питание
Потребление энергии	5.8 Вт в режиме Active, 0.03 Вт в режиме Idle;
	максимальное энергопотребление - 9 Вт
Совместимость
Формат накопителя	M.2 Type 2280 M Key
Поддержка NVMe	Есть
*перед покупкой уточняйте комплектацию, характеристики и наличие товара.